科目: 來源: 題型:選擇題
A. | Fsinθ | B. | Fcosθ | C. | Fsinθ-mg | D. | Fsinθ+Fcosθ |
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科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:填空題
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | tanθ1tanθ2=2 | B. | cotθ1tanθ2=2 | C. | cotθ1cotθ2=2 | D. | tanθ1cotθ2=2 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 4.8s | B. | 10s | C. | 14.4s | D. | 20s |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | A點(diǎn)的電場強(qiáng)度較大 | |
B. | 因?yàn)锽點(diǎn)沒有電場線,所以電荷在B點(diǎn)不受到電場力作用 | |
C. | 同一點(diǎn)電荷放在A點(diǎn)受到的電場力比放在B點(diǎn)時(shí)受到的電場力大 | |
D. | 正電荷放在A點(diǎn)由靜止釋放,電場線就是它的運(yùn)動(dòng)軌跡 |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 前3秒內(nèi)和前4秒內(nèi)位移相等 | B. | 前4秒內(nèi)位移為零 | ||
C. | 第2秒末物體的加速度改變方向 | D. | 第4秒末物體的速度改變方向 |
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